特許
J-GLOBAL ID：200903041895656791

アバランシ・フォトダイオード

発明者：
石橋 忠夫

石橋 忠夫 について

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安藤 精後

安藤 精後 について

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廣田 幸弘

廣田 幸弘 について

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村本 好史

村本 好史 について


出願人/特許権者：
NTTエレクトロニクス株式会社

NTTエレクトロニクス株式会社 について

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日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-186551
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005697
出願日： 2005年06月27日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】低暗電流で安定動作が可能な電子注入形アバランシ・フォトダイオードの製造技術を提供する。【解決手段】 InPバッファ層22内に、光吸収層によって規定される領域の内側にn形ドーピング領域22-1,22-2を設け、イオン注入法により所定のドーピングプロファイルとすることによって、なだれ増倍層23における電界集中を緩和した。さらに、低濃度の第2の光吸収層26-2を光吸収層26-1となだれ増倍層23の間に設けて、受光効率を最大化し、光吸収層の側面の空乏化を抑制して電界集中を防止する。エッジブレークダウン抑制し、素子の信頼性を向上させた。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
n形電極層、なだれ増倍層、電界制御層およびバンドギャップ傾斜層が順次積層して形成され、前記バンドギャップ傾斜層上に、メサ構造を形成する光吸収層およびp形電極層が順次積層されたアバランシ・フォトダイオードにおいて、 前記n形電極層と前記なだれ増倍層との間に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層の内部であって、前記n形電極層に接し、前記積層面内において前記メサ構造の形成される領域の内部側に形成され、前記積層面に垂直な断面が略台形状のn形ドーピング領域とを備え、 前記p形電極層と前記n形電極層間が逆バイアスされた状態において、前記n形ドーピング領域の前記略台形状の断面の上辺近傍部分をおおむね空乏化することを特徴とするアバランシ・フォトダイオード。
IPC (1件)：
H01L 31/107
FI (1件)：
H01L31/10 B
Fターム (14件)：
5F049MA08 ,  5F049MB07 ,  5F049NA05 ,  5F049NA08 ,  5F049NA18 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049PA10 ,  5F049QA05 ,  5F049QA06 ,  5F049QA13 ,  5F049SE20 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • Y.HIROTA et al.,“Reliable non-Zn-diffused InP/InGaAs avalanche photodiode with buried n-InP layer o, 20041014

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