特許

J-GLOBAL ID：200903041919239372

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  宮永 昭治 ,  三津木 亨 ,  大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-156698
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031488
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 穴(凹部)を有する安価な基板を用いて半導体装置を形成した時に生じる不良箇所を低減することを課題とする。【解決手段】 基板上に形成した下地膜に平坦化処理及び熱処理を行うことで、基板の穴(凹部)の形状が与える影響を緩和し、その極めて良好な特性値(凹部の深さ、凹部の開口直径、凹部の上部の開口部断面曲線の接線と表面となす角、曲率半径、表面粗さRms)を有する絶縁膜表面上に形成される優れた結晶性を有する半導体薄膜を利用して半導体装置を作製する。

請求項（抜粋）：

表面に絶縁膜を有する基板上に形成された半導体薄膜でなる活性層を有する半導体装置において、基板及び該基板に接する絶縁膜表面は、少なくとも1つの凹部を有し、前記絶縁膜表面の凹部の深さの平均値をdとし、前記基板表面の凹部の深さの平均値をDとした場合、d/D<1であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/304 622

FI (6件)：

H01L 29/78 627 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (30件)：

4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD88 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG17 ,  4M104GG19 ,  4M104HH12 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA11 ,  5F052EA16 ,  5F052FA01 ,  5F052GB05 ,  5F052JA04 ,  5F052KA05

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-303436   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-284496   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-347821   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体結晶の形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-114673   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-015068   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-314135   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, ティーディーケイ株式会社