特許
J-GLOBAL ID：200903041940847552
半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-000290
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203948
出願日： 2001年01月05日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 容量絶縁膜の特性劣化や配線と容量上部電極との電気的接続不良を防止しつつ、配線と容量上部電極とのコンタクト抵抗の増大を防止できるようにする。【解決手段】 半導体基板上1に、第1の下部電極10、第2の下部電極11、容量絶縁膜12及び上部電極13から構成される容量素子14が設けらている。上部電極13は、第2のPt膜13aと、第2のPt膜13aの上に形成された白金族金属酸化物膜13bと、白金族金属酸化物膜13bの上に形成された第3のPt膜13cとを有している。容量素子14の上には、上部電極13に達する第2のコンタクトホール16を有する第2の層間絶縁膜15が形成されていると共に、第2のコンタクトホール16を含む第2の層間絶縁膜15の上には、上部電極13と接続する配線17が形成されている。
請求項（抜粋）：
下部電極、絶縁性金属酸化物膜よりなる容量絶縁膜、及び上部電極から構成される容量素子と、前記容量素子の上に形成されており、前記上部電極に達するコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に形成されており、前記コンタクトホールに充填された導電材料を介して前記上部電極と電気的に接続する配線とを備え、前記上部電極は、第1の白金膜と、前記第1の白金膜の上に形成された白金族金属酸化物膜と、前記白金族金属酸化物膜の上に形成された第2の白金膜とを有していることを特徴とする半導体装置。
Fターム (21件)：
5F083AD22
, 5F083AD43
, 5F083AD49
, 5F083FR02
, 5F083GA02
, 5F083GA11
, 5F083GA13
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083PR33
, 5F083PR39
, 5F083PR40
