特許
J-GLOBAL ID：200903041996727410

電気光学装置及び電子機器

発明者：
村出 正夫

村出 正夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-054200
公開番号（公開出願番号）：特開2004-354969
出願日： 2004年02月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】 電気光学装置において、画像の周囲に光漏れに起因する像が現れるということを極力防止等することで、画質を高める。【解決手段】 TFTアレイ基板(10)上に、データ線、走査線、TFT及び画素電極を備えている。前記基板は、TFT及び画素電極の形成領域として規定される画像表示領域(10a)と、該画像表示領域の周辺を規定する周辺領域とを有する。画像表示領域上には、画素電極における電位を所定期間保持する蓄積容量と、該蓄積容量を構成する容量電極に接続される容量配線(400)とを備え、前記画像表示領域及び前記周辺領域間を画する額縁領域(53)上には、容量配線と同一膜として形成され、且つ、当該額縁領域の少なくとも一部に形成された額縁パターン(406)を備えている。この額縁パターンは、外部回路接続端子(102Q)に接続された配線(404)とも同一膜として形成されている。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
基板上に、 一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、 前記走査線により走査信号が供給されるスイッチング素子と、 前記データ線により前記スイッチング素子を介して画像信号が供給される画素電極とを備えてなり、 前記基板は、前記画素電極及び前記スイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周辺を規定する周辺領域とを有し、 前記画像表示領域上に、 前記画素電極における電位を所定期間保持する蓄積容量と、 該蓄積容量を構成する容量電極に所定電位を供給する第1配線とを備え、 前記第1配線と同一膜として形成され、前記画像表示領域と前記周辺領域とを画する額縁領域の少なくとも一部を構成する額縁パターンとを備えたことを特徴とする電気光学装置。
IPC (4件)：
G09F9/30 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167
FI (6件)：
G09F9/30 349C ,  G09F9/30 330Z ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167
Fターム (26件)：
2H092GA35 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JB23 ,  2H092JB24 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB66 ,  2H092JB69 ,  2H092MA13 ,  2H092NA01 ,  2H092NA28 ,  2H092PA09 ,  3K007AB17 ,  3K007BA06 ,  3K007CC05 ,  3K007DB03 ,  3K007FA02 ,  5C094AA03 ,  5C094AA16 ,  5C094AA21 ,  5C094AA23 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA20 ,  5C094ED14
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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