特許
J-GLOBAL ID：200903046590648685
ビルドアップ多層配線基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067984
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266079
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】ビルドアップ基板製造工程が長くなるような特別な穴埋め工程を必要とせず、広範な穴埋め材料で、高アスペクト比な多数の貫通めっきスルーホールを充填して製造が可能な表面が平坦な内層基板を備えた高信頼性のビルドアップ多層基板とその製造方法を実現する。【解決手段】ベース基板の配線層上、及び基板周縁部に配線層とは電気的に独立して配線層を取り囲むように形成された額縁状の導体パターン上に無溶剤の流動性高分子前駆体を置き、貫通めっきスルーホール内、配線間隙を排気した後、前駆体を充填し、静水圧をかけながら硬化して、欠陥無く、貫通めっきスルーホールの穴埋めと、内層基板の平坦化とを行う。
請求項（抜粋）：
両面を電気的に接続する貫通めっきスルーホールと、少なくとも一方の面上に水平配線導体からなる配線層とを有する内層基板を備えたビルドアップ多層配線基板において、前記内層基板上の配線層とは電気的に独立で、前記配線層を取り囲むように内層基板の周縁部に形成された額縁状の導体金属パターンが配設されていることを特徴とするビルドアップ多層配線基板。
FI (3件)：
H05K 3/46 B
, H05K 3/46 K
, H05K 3/46 N
