特許
J-GLOBAL ID：200903081255602972

III族窒化物素子の不動態化およびその方法

発明者：
ビーチ・ロバート

ビーチ・ロバート について


出願人/特許権者：
インターナショナル・レクティファイヤ・コーポレーション

インターナショナル・レクティファイヤ・コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-542811
公開番号（公開出願番号）：特表2007-519231
出願日： 2004年12月06日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
【課題】【解決手段】III族窒化物半導体素子およびその製造方法の実施形態は、高温処理中にIII族窒化物材料に損傷を与えずに、素子のコンタクトを形成することを可能にする低抵抗の不動態化層を備えてよい。不動態化層は、素子全体を不動態化するために用いられてよい。不動態化層は、さらに、素子のコンタクトと活性層との間に設けられて、導電のための低抵抗の電流路を提供してもよい。この不動態化処理は、FET、整流器、ショットキダイオードなど、任意の種類の素子に用いて、破壊電圧を改善すると共に、コンタクトの接合部付近の電界集中効果を防止してよい。不動態化層は、外部拡散に関してIII族窒化物素子に影響を与えない低温アニールで活性化されてよい。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体素子であって、 異なる格子定数を有する2つのIII族窒化物材料の間の界面に形成された導電チャネルと、 前記チャネルに接続され、チャネル電流を伝導する電極と、 前記電極と前記チャネルとの間の不動態化層と、を備え、 前記不動態化層は、中断した領域を有し、前記素子における電流は、前記不動態化層の前記中断した領域を通して流れる、素子。
IPC (7件)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (6件)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/48 D ,  H01L29/50 M ,  H01L29/50 J ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 F
Fターム (36件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  4M104HH04 ,  4M104HH05 ,  4M104HH15 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS04 ,  5F102GV05 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21
引用特許：
審査官引用 (8件)
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