メンブレン構造体の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：金山聡 , 深町圭子 , 伊藤英生 , 藤枡裕実 , 後藤直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-132345
公開番号（公開出願番号）：特開2008-284651
出願日： 2007年05月18日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：

【課題】メンブレンの破損を抑制することが可能なメンブレン構造体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板内に配置され、自立薄膜を有するメンブレン構造体の製造方法において、前記半導体基板の加工に付される面に所定のパターンを有するマスクを形成する工程と、前記半導体基板の加工に付される面の逆側の面に保護層を配設する工程と、前記半導体基板を前記保護層と一体の状態で、前記マスクを加工用マスク材として用いて前記半導体基板の厚み方向にエッチングして所定の厚さの自立薄膜を形成する工程と、前記自立薄膜形成後に前記保護層を除去する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の半導体材料からなる第1の層、絶縁性材料からなる第2の層、および第2の半導体材料からなる第3の層が順に積層されてなる積層基板内に配置される自立薄膜を備えたメンブレン構造体の製造方法において、前記第1の層をエッチングして第1の構造体を形成する工程と、前記積層基板の前記第1の層側に保護層を配設する工程と、前記積層基板を前記保護層と一体の状態で前記第3の層をエッチングして第2の構造体を形成し、中空状態の、第1の層又は第1の構造体を含む自立薄膜を形成する工程と、前記自立薄膜形成後に前記保護層を除去する工程とを含むことを特徴とするメンブレン構造体の製造方法。

IPC (4件)：

B81C 1/00 , H01L 21/027 , H01L 29/84 , G03F 1/16

FI (6件)：

B81C1/00 , H01L21/30 541S , H01L29/84 Z , H01L21/30 531M , G03F1/16 A , G03F1/16 B

Fターム (28件)：

2H095BA09 , 2H095BA10 , 2H095BB05 , 2H095BB14 , 3C081AA18 , 3C081CA02 , 3C081CA13 , 3C081CA16 , 3C081CA23 , 3C081CA32 , 3C081DA03 , 3C081DA04 , 3C081DA44 , 4M112AA02 , 4M112CA01 , 4M112CA03 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA13 , 4M112EA18 , 4M112FA20 , 5F046GD03 , 5F046GD13 , 5F046GD15 , 5F056FA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

メンブレンマスク及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-373655 出願人：株式会社ニコン

審査官引用 (7件)

可逆性感熱記録材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-081219 出願人：三菱製紙株式会社
半導体チップ切出し方法および半導体チップ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-290229 出願人：東京エレクトロン株式会社
マイクロマシンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-271644 出願人：富士通株式会社

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