特許

J-GLOBAL ID：200903042138075362

p型III族窒化物半導体、その製造方法およびそれを用いた半導体発光素子の製造方法

発明者： 三木 久幸 ,  蕗澤 朗 ,  尾嶋 正治 ,  藤岡 洋
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-110776
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298213
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】700〜900°Cの温度で熱処理を行い、p型不純物を活性化してp型III族窒化物半導体を製造する従来の技術では、InxGa1-xN結晶が相分離やスピノーダル分解を引き起こし劣化しやすい、あるいはIII族窒化物半導体結晶の最表面がダメージを受けるなどの問題がある。【解決手段】熱処理を行う際の気相雰囲気中に、O2、O3、N2Oなどの酸化性のガスを含ませることで、熱処理の温度を低くしても十分なキャリア濃度を有するp型III族窒化物半導体を製造することができる。

請求項（抜粋）：

p型不純物がドープされたIII族窒化物半導体を、酸化性のガスを含む気相雰囲気中で、300°Cから600°Cの範囲の温度で熱処理することを特徴とするp型III族窒化物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 C

Fターム (14件)：

5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC19 ,  5F045CA11 ,  5F045HA16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• p型III-V族窒化物半導体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-163120   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体発光素子の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-252520   出願人：ローム株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-019748   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法及び素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-365123   出願人：豊田合成株式会社