半導体発光素子の製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-252520
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091637
出願日： 1998年09月07日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】チッ化ガリウム系化合物半導体を積層する半導体発光素子のp形層の活性化のための熱処理を短時間でしかも確実に活性化することができる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】基板1上に少なくともn形層3とp形層5を含み、発光層を形成するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、その積層した半導体層のp形層5の活性化のための熱処理を行う場合に、前記熱処理を酸素を含む雰囲気で行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくともn形層とp形層を含み、発光層を形成するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、該積層した半導体層のp形層の活性化のための熱処理を行う半導体発光素子の製法であって、前記熱処理を酸素を含む雰囲気で行うことを特徴とする半導体発光素子の製法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 , H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/28 A , H01L 21/324 C

Fターム (19件)：

4M104AA04 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD15 , 4M104DD28 , 4M104DD34 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041AA21 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA73 , 5F041CA74

引用特許：

審査官引用 (8件)

窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-019748 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
オーミック電極およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-213117 出願人：ソニー株式会社
化合物半導体太陽電池の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-175851 出願人：松下電池工業株式会社

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