半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山内梅雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-059532
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260180
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】メモリセルのリフレッシュのための回路を内部に備え、しかもアクセスタイミングを外部装置側で容易に確認できる半導体メモリを得ること。【解決手段】リフレッシュの必要なメモリ回路12を内部に備えたS-DRAM等の半導体メモリは、自身をリフレッシュするためのリフレッシュコントローラ102をデバイス内に備えており、外部からの指示なしにメモリ回路12をリフレッシュするオートリフレッシュ機能を有する。リフレッシュ時には外部からのアクセスを禁止するためのホールド信号106がリフレッシュコントローラ102から外部に出力されるようになっている。

請求項（抜粋）：

記憶内容を保持するためのリフレッシュ動作を必要とするメモリ回路と、このメモリ回路と同一のデバイス内に配置され、このメモリ回路を所定の周期でリフレッシュするリフレッシュ回路と、このリフレッシュ回路が前記メモリ回路をリフレッシュしている間、外部に対してリフレッシュ状態であることを示す状態信号を出力する状態信号出力手段とを具備することを特徴とする半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 11/403 , G11C 11/407

FI (2件)：

G11C 11/34 363 M , G11C 11/34 362 S

Fターム (5件)：

5B024AA11 , 5B024AA15 , 5B024BA29 , 5B024CA15 , 5B024DA18

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭60-083294
特開平2-053292
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-040737 出願人：株式会社日立製作所

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