特許
J-GLOBAL ID：200903042189265921

集積化マイクロエレクトロメカニカルシステムおよびその製造方法

発明者：
福田 宏

福田 宏 について

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藤森 司

藤森 司 について

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横山 夏樹

横山 夏樹 について

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花岡 裕子

花岡 裕子 について

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松村 隆史

松村 隆史 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-226233
公開番号（公開出願番号）：特開2006-263902
出願日： 2005年08月04日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 半導体集積回路装置(CMOS等)と微小機械とを半導体基板上にモノリシックに集積化した集積化MEMSの製造技術において、半導体集積回路装置の通常の製造技術とは異なる特別な工程を使用することなく集積化MEMSを製造できる技術を提供する。【解決手段】 CMOS集積回路プロセスを使用して、集積回路とともにMEMS構造体を形成する。例えば、加速度センサを形成する場合には、可動錘109、弾性梁110および固定梁111よりなる構造体をCMOSの配線形成技術を使って形成する。その後、CMOSプロセスで層間絶縁膜112などをエッチングして空洞部115を形成する。そして、エッチングに使用した微細孔113を絶縁膜で封止する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
半導体集積回路装置の製造技術を用いて形成する微小機械と半導体集積回路装置とを半導体基板上に形成した集積化マイクロエレクトロメカニカルシステムであって、 前記微小機械は、 (a)層間絶縁膜の一部を除去することにより形成され、かつ、封止された空洞部と、 (b)前記空洞部の内部に形成された構造体とを備え、 前記空洞部は、MOSFETの配線形成技術を用いて形成され、かつ、前記MOSFETの配線形成技術を用いて封止されていることを特徴とする集積化マイクロエレクトロメカニカルシステム。
IPC (16件)：
B81C 1/00 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/84 ,  B81B 3/00 ,  B81B 7/02 ,  G01P 15/125 ,  G01P 15/18 ,  G01P 9/04 ,  G01L 9/00 ,  G01L 17/00 ,  G01C 19/56 ,  B60C 23/04 ,  B60C 23/20 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/320
FI (15件)：
B81C1/00 ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/84 Z ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01P15/125 Z ,  G01P15/00 K ,  G01P9/04 ,  G01L9/00 305A ,  G01L17/00 301P ,  G01C19/56 ,  B60C23/04 N ,  B60C23/20 ,  H01L27/08 331E ,  H01L21/88 B
Fターム (76件)：
2F055AA12 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF34 ,  2F055FF43 ,  2F055GG11 ,  2F055GG31 ,  2F105BB15 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD05 ,  3D301AA78 ,  3D301DA14 ,  3D301DB27 ,  3D301DB28 ,  4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA21 ,  4M112CA23 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112DA02 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033VV10 ,  5F033VV13 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX34 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC00 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BC18 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第6635506号明細書
  • 米国特許第6667245号明細書
  • 米国特許出願公開第2004/0145056号明細書
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審査官引用 (5件)
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