特許
J-GLOBAL ID：200903042261728699
フラッシュ・メモリの管理方式
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-102560
公開番号（公開出願番号）：特開平11-085629
出願日： 1998年04月14日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 通信装置や情報処理装置の補助記憶装置に適用されるフラッシュ・メモリの管理方式に関し、最小消去単位領域内のデータ記憶密度を向上させ、併用される揮発性メモリ上で情報が消失しても復元でき、最小消去単位領域の書換え消去回数を平均化すると共に書換え消去回数を縮減でき、最小消去単位領域毎の書換え消去回数を管理する手段を設ける必要がなく、データの書込み動作が最小消去単位領域の消去動作によって遅延させられず、更に、書込み不能なチップや書込み不能な最小消去単位領域をスキップするための管理を、正常な場合と全く同じにすることができるフラッシュ・メモリの管理方式を提供する。【解決手段】 フラッシュ・メモリの最小消去単位領域を任意の大きさの書込み単位領域に分割し、特定の書込み単位領域を当該最小消去単位領域の全ての書込み単位領域を管理する管理領域とし、残余の書込み単位領域をデータを格納する記憶領域とするように構成する。
請求項（抜粋）：
フラッシュ・メモリの最小消去単位領域を任意の大きさの書込み単位領域に分割し、特定の書込み単位領域を、当該最小消去単位領域の残余の全ての書込み単位領域を管理する管理領域とし、当該最小消去単位領域の残余の書込み単位領域をデータを格納する記憶領域とすることを特徴とするフラッシュ・メモリの管理方式。
IPC (2件)：
G06F 12/16 310
, G11C 16/02
G06F 12/16 310 Q
, G11C 17/00 601 C
