特許
J-GLOBAL ID：200903042268225960

半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明者：
野村 亮二

野村 亮二 について

, 
永田 貴章

永田 貴章 について

, 
楠本 直人

楠本 直人 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-268777
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124448
出願日： 2007年10月16日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】不良が生じにくい素子構造及び当該素子を有する半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】第1の電極層と第2の電極層からなる一対の電極層間に有機化合物を含む層を有する素子構造とし、一対の電極層のうち、少なくとも一方の電極層のヤング率を7.5×1010N/m2以下とする。作製される素子の用途に応じた有機化合物を用いて有機化合物を含む層を形成し、記憶素子、発光素子、圧電素子、有機トランジスタ素子を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
可撓性を有する基板と、 前記可撓性を有する基板上に記憶素子と、 を有し、 前記記憶素子は、第1の電極層と第2の電極層との間に有機化合物を含む層を有し、 前記第2の電極層は、ヤング率7.5×1010N/m2以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (14件)：
H01L 21/28 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/193 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26
FI (14件)：
H01L21/28 301B ,  H01L27/10 449 ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/18 102 ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 Z ,  H01L29/28 100B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H01L29/28 100A
Fターム (191件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107DD17 ,  3K107DD44X ,  3K107DD46X ,  3K107FF02 ,  3K107FF15 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH20 ,  5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH22 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH35 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ35 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033VV06 ,  5F033VV09 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX19 ,  5F083FZ07 ,  5F083HA02 ,  5F083HA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK06 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN15 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体素子形成法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-250952   出願人：東京農工大学長
審査官引用 (8件)
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