半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-327968
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165535
出願日： 2005年11月11日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】不揮発性であって、作製が簡単であり、追記が可能な記憶回路を有する半導体装置の提供を課題とする。【解決手段】本発明の半導体装置は、複数のトランジスタと、前記トランジスタのソース配線又はドレイン配線として機能する導電層と、前記複数のトランジスタのうちの1つの上に設けられた記憶素子及びアンテナとして機能する導電層とを有し、前記記憶素子は、第1の導電層と、有機化合物層又は相変化層と、第2の導電層とが順に積層された素子であり、アンテナとして機能する前記導電層と前記複数のトランジスタのソース配線又はドレイン配線として機能する導電層とは、同じ層上に設けられていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁層上に設けられたトランジスタと、前記トランジスタのソース配線又はドレイン配線として機能する導電層と、前記トランジスタに重畳する記憶素子と、アンテナとして機能する導電層とを有し、前記記憶素子は、第1の導電層と、有機化合物層又は相変化層と、第2の導電層とが順に積層された素子であり、アンテナとして機能する前記導電層と前記複数のトランジスタのソース配線又はドレイン配線として機能する導電層とは、同じ層に設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/768 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/10 , H01L 27/105 , H01L 51/05 , H01L 45/00 , H01L 29/417

FI (10件)：

H01L27/04 L , H01L21/90 A , H01L29/78 613B , H01L29/78 627D , H01L27/10 431 , H01L27/10 448 , H01L29/28 100A , H01L45/00 A , H01L45/00 Z , H01L29/50 M

Fターム (164件)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB39 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD63 , 4M104DD66 , 4M104FF08 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 5B035AA04 , 5B035BA05 , 5B035BB09 , 5B035CA08 , 5B035CA23 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ10 , 5F033JJ18 , 5F033KK04 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033LL01 , 5F033LL02 , 5F033LL04 , 5F033MM05 , 5F033MM19 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ10 , 5F033QQ16 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033VV06 , 5F033VV08 , 5F033VV15 , 5F038AZ04 , 5F038CA16 , 5F038DF01 , 5F038DF05 , 5F038DF10 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F083AD02 , 5F083CR14 , 5F083CR17 , 5F083FZ10 , 5F083HA10 , 5F083JA36 , 5F083JA44 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083ZA12 , 5F110AA04 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110BB08 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE32 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN36 , 5F110NN49 , 5F110NN52 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜磁性体記憶装置ならびにそれを用いた無線チップ、流通管理システムおよび製造工程管理システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-040093 出願人：三菱電機株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-241132 出願人：株式会社東芝
有機双安定性素子、これを用いた有機双安定性メモリ装置、およびそれらの駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-076536 出願人：大日本印刷株式会社

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