特許
J-GLOBAL ID：200903042268724508

処理装置及び処理装置のクリーニング方法

発明者：
吹上 紀明

吹上 紀明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-230175
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021624
出願日： 2008年09月08日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
【課題】正確な終点検出の可能な処理装置のドライクリーニング方法を提供する。【解決手段】クリーニング中の、チャンバ圧、物質濃度又は堆積膜の厚さを測定、モニターするためのセンサを装置11内に設け、センサからのデータを基に終点を検出する。または、チャンバ11内にプラズマを部分的に発生させて、このプラズマの発光強度をモニターして終点を検出する。或いは、チャンバ内に光を照射し、チャンバ内を通過した光を測定、モニターして終点を検出する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
真空チャンバと、 前記真空チャンバをクリーニングするためのガスを該真空チャンバ内に供給可能に構成されたガス供給ラインと、 前記真空チャンバに供給されるガスを前記真空チャンバの外部で活性化可能に構成されたガス活性化手段と、 前記真空チャンバ内に局所的にプラズマを発生可能に構成されたプラズマ発生手段と、 前記プラズマ発生手段により発生されたプラズマの発光強度を測定してクリーニングの終点検出を行う終点検出手段と、 から構成されることを特徴とする処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/44
FI (3件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/302 101H ,  C23C16/44 J
Fターム (33件)：
4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030KA08 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BD04 ,  5F004CB09 ,  5F004CB15 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AF01 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06 ,  5F045GB08
引用特許：
審査官引用 (7件)
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