特許
J-GLOBAL ID：200903042273437371

フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法及びこれを利用して製造された半導体素子

発明者：
李 根守

李 根守 について

, 
鄭 載昌

鄭 載昌 について

, 
申 起秀

申 起秀 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311014
公開番号（公開出願番号）：特開2003-162050
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】 フォトリソグラフィー工程中露光工程により露光部から発生する酸が非露光部に拡散されるのを防ぐ。【解決手段】 フォトレジスト組成物は下記式(1)の酸拡散防止用フォトレジスト添加剤を含む。このような酸拡散防止用フォトレジスト添加剤を含むフォトレジスト組成物を用いてフォトレジストパターンを形成すれば、少量を用いても酸の拡散を効果的に制御することができるためLERを向上させ、プロファイルを改善して最適の露光エネルギーを低下させることができる。【化7】前記式で、R1、R2、R3、R4及びkは明細書で定義した通りである。
請求項（抜粋）：
下記式(1)で示される酸拡散防止用フォトレジスト添加剤を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。【化1】前記式(1)で、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ水素であるか、又はC1〜C10の直鎖又は側鎖アルキルであり、kは0又は1である。
IPC (3件)：
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (16件)：
2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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