特許
J-GLOBAL ID:200903042275182990

半導体レーザ駆動回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-366060
公開番号(公開出願番号):特開2005-129842
出願日: 2003年10月27日
公開日(公表日): 2005年05月19日
要約:
【課題】 レーザダイオードの特性に応じた時間で微分量子効率の検出を行うことができ、レーザダイオードの特性に応じて微分量子効率の検出時間を短縮することができる半導体レーザ駆動回路を得る。【解決手段】 外付けの抵抗14の抵抗値を変えることによってロジック回路11に供給するクロック信号CLKの周波数を変えるようにして初期化の各工程の時間を変えるようにし、スイッチSW1をオンさせてS/Hコンデンサ2の充電を行うとき、演算増幅器AMP1よりも出力電流が大きくなるように設計され演算増幅器AMP2を作動させて、演算増幅器AMP1及びAMP2の2つの演算増幅器によってS/Hコンデンサ2を充電するようにした。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
供給された電流に応じた光量で発光する半導体レーザの光量をモニタし、該光量に応じた電圧Vmを生成して出力する光量検出回路部を備え、該光量検出回路部の出力電圧Vmに基づいて前記半導体レーザの光量が所定値になるように制御するサンプルホールド型のAPC回路を備えた半導体レーザ駆動回路において、 設定された電流値の変調電流であるパルス電流を生成し、外部からの制御信号Sdに応じて該パルス電流を前記半導体レーザに供給するパルス電流生成回路部と、 前記光量検出回路部からの電圧Vmが、設定された電圧になるように、直流電流であるバイアス電流を生成して前記半導体レーザに供給するバイアス電流生成回路部と、 外部から設定された周波数のクロック信号CLKを生成して出力する発振回路部と、 該発振回路部からのクロック信号CLKにしたがって前記半導体レーザの微分量子効率の検出を行う所定の動作を行い、得られたパルス電流の電流値を前記パルス電流生成回路部に設定する制御回路部と、 を備え、 前記制御回路部は、前記クロック信号CLKの周波数に応じて、半導体レーザの微分量子効率の検出に要する時間を変えることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
IPC (1件):
H01S5/062
FI (1件):
H01S5/062
Fターム (6件):
5F073BA01 ,  5F073BA05 ,  5F073BA07 ,  5F073GA04 ,  5F073GA12 ,  5F073GA38
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 画像形成装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-359207   出願人:キヤノン株式会社
審査官引用 (11件)
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