特許
J-GLOBAL ID:200903042286147640

パターン形成体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山下 昭彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-336575
公開番号(公開出願番号):特開2003-222626
出願日: 2002年11月20日
公開日(公表日): 2003年08月08日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、パターン形成体の表面に官能基を付与することが可能であり、かつ露光後の後処理等が不要であるパターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。【解決手段】 本発明は、高分子材料からなる特性変化層を有するパターン形成体用基板を調製するパターン形成体用基板調製工程と、光触媒を含有する光触媒含有層および基体を有する光触媒含有層側基板における前記光触媒含有層と前記特性変化層とを、200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、所定の方向からエネルギーを照射することにより、前記高分子材料からなる特性変化層表面にパターン状に官能基を付与するパターン形成工程とを有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。
請求項(抜粋):
高分子材料からなる特性変化層を有するパターン形成体用基板を調製するパターン形成体用基板調製工程と、光触媒を含有する光触媒含有層および基体を有する光触媒含有層側基板における前記光触媒含有層と前記特性変化層とを、200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、所定の方向からエネルギーを照射することにより、前記高分子材料からなる特性変化層表面にパターン状に官能基を付与するパターン形成工程とを有することを特徴とするパターン形成体の製造方法。
IPC (3件):
G01N 33/53 ,  C12N 11/00 ,  G01N 33/566
FI (3件):
G01N 33/53 M ,  C12N 11/00 ,  G01N 33/566
Fターム (6件):
4B033NA22 ,  4B033NA42 ,  4B033NB02 ,  4B033NB13 ,  4B033NB22 ,  4B033NB33
引用特許:
審査官引用 (5件)
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