特許
J-GLOBAL ID：200903098464579368
パターン形成体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 昭彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-336284
公開番号（公開出願番号）：特開2003-223004
出願日： 2002年11月20日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、官能基の脱保護を短時間で行うことが可能であり、かつ露光後の後処理等が不要であるパターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。【解決手段】 本発明は、基体と、前記基体上に形成され、感光性保護基で保護された官能基を有し、かつ光触媒の作用により感光性保護基が脱保護する分子を薄膜状に形成してなる特性変化層とを有するパターン形成体用基板を調整するパターン形成体用基板調整工程と、光触媒を含有する光触媒含有層および基体を有する光触媒含有層側基板における前記光触媒含有層と前記特性変化層とを、200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、所定の方向からエネルギーを照射することにより、前記特性変化層表面に感光性保護基で保護された官能基を脱保護して得られる脱保護官能基からなるパターンを形成するパターン形成工程とを有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
基体と、前記基体上に形成され、感光性保護基で保護された官能基を有し、かつ光触媒の作用により感光性保護基が脱保護する分子を薄膜状に形成してなる特性変化層とを有するパターン形成体用基板を調整するパターン形成体用基板調整工程と、光触媒を含有する光触媒含有層および基体を有する光触媒含有層側基板における前記光触媒含有層と前記特性変化層とを、200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、所定の方向からエネルギーを照射することにより、前記特性変化層表面に感光性保護基で保護された官能基を脱保護して得られる脱保護官能基からなるパターンを形成するパターン形成工程とを有することを特徴とするパターン形成体の製造方法。
Fターム (3件)：
2H097GA45
, 2H097LA09
, 2H097LA20
