特許
J-GLOBAL ID：200903042354893541

電界放出型電子源及びその製造方法

発明者：
古賀 啓介

古賀 啓介 について

, 
堀 義和

堀 義和 について

, 
吉田 岳人

吉田 岳人 について

, 
山田 由佳

山田 由佳 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-090457
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255646
出願日： 1997年04月09日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 陰極の放出サイトを増加させて陰極の電流放出特性を大きく向上させても、電子放出の均一性及び素子特性の安定性が得られるようにする。【解決手段】 シリコン基板11の上には、アレイ状の陰極形成領域にそれぞれ円形状の開口部を有する下部酸化シリコン膜16A及び上部酸化シリコン膜18Aよりなる絶縁膜を介して引き出し電極19Aが形成されている。下部酸化シリコン膜16A、上部酸化シリコン膜18A及び引き出し電極19Aの開口部の内部には、円形断面を持つタワー形状の陰極17が形成されており、該陰極17の先端部は結晶異方性エッチングとシリコンの熱酸化プロセスとによって形成された半径2nm以下の急峻な形状を有している。シリコン基板11における下部酸化シリコン膜16A及び上部酸化シリコン膜18Aの開口部に露出した領域及び陰極17の表面は、レーザアブレーション法により形成された超微粒子構造体からなる表面被覆層20により覆われている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に絶縁膜を介して形成され、陰極形成領域に開口部を有する引き出し電極と、前記基板上における前記引き出し電極の開口部内に形成された陰極と、前記陰極の表面に形成され、超微粒子構造体よりなる表面被覆層とを備えていることを特徴とする電界放出型電子源。
IPC (2件)：
H01J 1/30 ,  H01J 9/02
FI (3件)：
H01J 1/30 Z ,  H01J 1/30 C ,  H01J 9/02 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM