特許
J-GLOBAL ID：200903042359283105
光反射構造及びその製造法、並びに光デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 常雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-090907
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288577
出願日： 1995年04月17日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体で、レーザ発振可能な平滑な光反射面を得る。【構成】 6H-SiCを基板10とし、その(0,0,0,1)面上に、AlGaN層12、GaN層14及びAlGaN層16をエピタキシャル成長させる。基板10の下側に電極18を、最上層16の上にも電極20をそれぞれ蒸着する。基板10を100μm、以下、好ましくは60μm以下にまで薄くし、(1,-1,0,0)面に平行な方向にメスを立てる。これにより、(1,-1,0,0)面でへき開する。このようにして、光共振のための2つの反射面をへき開により形成し、他の2辺をスクライバで切断する。ここでは、結晶面の表記方法を通常とは若干変更し、例えば、(100)面は、(1,0,0)面と表記し、x軸のマイナス方向に位置してこれと等価な面を(-1,0,0)と表記する。
請求項（抜粋）：
六方晶系の結晶構造を有する半導体において、結晶面{1,-1,0,0}を光反射面とすることを特徴とする光反射構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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