特許
J-GLOBAL ID：200903049620837010

窒化物半導体基板及びそれを用いた窒化物半導体素子

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-278308
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156348
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【目的】 青色発光ダイオード、青色レーザダイオード等の窒化物半導体に用いられる基板及びそれを用いた素子であって、表面が平坦な窒化物半導体基板上に素子構造を形成することを目的とする。【構成】 少なくともオフ角が0.05 ゚以上のステップ状のオフアングルが設けられた異種基板1上に、少なくとも20μm以上の膜厚で第1の窒化物半導体を成長させることにより、その表面にテラス幅が数百〜数千μmであるステップ状の段差21・22が形成される。このテラス部21は非常に平坦で、この上に素子構造を堆積したとき閾値電流は低下し、また歩留まり及び素子の信頼性も向上する。さらに、レーザ素子を製造するには、段差方向と共振器方向をほぼ平行にすることで、段差を跨って素子が形成されるのを防ぎ、歩留まりが向上する。
請求項（抜粋）：
オフ角が0.05°以上でステップ状にオフアングルし、窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、少なくとも膜厚20μm以上の第1の窒化物半導体層を成長させることにより得られる窒化物半導体基板であって、前記第1の窒化物半導体層からなる窒化物半導体基板の表面がステップ状の段差を有することを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677
Fターム (41件)：
5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045HA16 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA33 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (12件)
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