特許
J-GLOBAL ID：200903042430317822

固体撮像素子の製造方法

発明者：
吉田 宏之

吉田 宏之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-029114
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231935
出願日： 2001年02月06日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 電荷検出部の不純物領域を小型化し、他の特性への弊害を生じることなく電荷検出部の電荷-電圧変換効率を向上する。【解決手段】 チャネル部112を形成したシリコン基板110上に絶縁膜120を形成し、フォトレジストパターニング及びエッチングによってコンタクトホール116を形成する。このコンタクトホール116は、他のコンタクトホールとは独立した工程によって形成する。この後、連続工程でN+領域形成用の不純物注入を行い、N+領域114を絶縁膜120にセルフアラインで形成する。この不純物注入は、基板110に対してある角度を保ちながら、多方向で複数回に分けて行う。このピックアップ電極118を形成し、コンタクトホール116にコンタクト部118Aを設ける。
請求項（抜粋）：
FD型の電荷検出部を有する固体撮像素子の製造方法において、半導体基板に電荷転送部からの信号電荷が導かれる不純物領域を形成する不純物注入工程と、前記不純物領域とピックアップ電極とのコンタクトをとるためのコンタクトホールを形成するエッチング工程とを有し、前記不純物注入工程を前記エッチング工程の後に行なう、ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/762 ,  H01L 21/339 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H04N 5/335 U ,  H01L 29/76 301 C
Fターム (9件)：
4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA20 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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