特許
J-GLOBAL ID：200903042449994434

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
楠瀬 健

楠瀬 健 について

, 
笠井 久嗣

笠井 久嗣 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-358664
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123489
出願日： 2003年10月20日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 透光率が高い導電酸化物からなる電極を有し信頼性の高い半導体発光素子とする。【解決手段】 本発明は、第一、第二導電型の窒化物半導体3、6と、該第一および第二導電型の窒化物半導体のうち少なくとも一方と電気的に接続する透光性電極(10、11、12)と、該透光性電極あるいは第一、第二導電型の窒化物半導体のうち少なくとも一方と電気的に接続する第一電極13および第二電極14とを有する窒化半導体発光素子において、透光性電極は、含有酸素濃度が膜厚方向に変化している透明導電膜を含むことを特徴とする。さらに、透光性電極は、窒化物半導体の方から順に透明導電膜よりなる第一の層11と該第一の層より含有酸素濃度が小さい透明導電膜よりなる第二の層12とからなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一、第二導電型の窒化物半導体と、該第一、第二導電型の窒化物半導体のうち少なくとも一方と電気的に接続する透光性電極と、該透光性電極および前記第一、第二導電型の窒化物半導体のうち少なくとも一方と電気的に接続する第一電極および第二電極とを有する窒化半導体発光素子において、 前記透光性電極は、含有酸素濃度が膜厚方向に変化している透明導電膜を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L21/28
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L21/28 301B
Fターム (26件)：
4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041DA09 ,  5F041FF06 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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