特許
J-GLOBAL ID：200903042491178353

チタン含有セラミックス薄膜の製造方法

発明者：
青山 拓

青山 拓 について

, 
久野 忠昭

久野 忠昭 について

, 
宮下 悟

宮下 悟 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-097768
公開番号（公開出願番号）：特開平10-287983
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】 ポストアニール方式により得られるセラミックス薄膜は、非晶質膜から結晶膜への移行過程で結晶核が膜中のいたるところ発生するため、ランダム配向の多結晶膜となってしまい、該セラミックス薄膜の物性が低下してしまうことが課題であった。【解決手段】 基板上のチタン含有セラミックス薄膜の製造方法において、該基板上に先ず金属チタン(Ti)、酸化チタン(TiO2)等のチタン化合物層を形成させ、その上に所望セラミックス膜を形成させる工程とする。
請求項（抜粋）：
(1)基板上にチタン(Ti)化合物層を形成する工程と、(2)前記チタン化合物層上に非晶質状のセラミックス前駆体膜を形成する工程と、(3)これを結晶化させる工程とからなることを特徴とするチタン含有セラミックス薄膜の製造方法。
IPC (6件)：
C23C 20/08 ,  B01J 19/00 ,  C01G 23/00 ,  C04B 35/49 ,  C30B 1/02 ,  C30B 29/32
FI (6件)：
C23C 20/08 ,  B01J 19/00 K ,  C01G 23/00 C ,  C30B 1/02 ,  C30B 29/32 A ,  C04B 35/49 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM