特許

J-GLOBAL ID：200903042532537835

半導体装置およびその製造方法

発明者： 内田 正雄 ,  北畠 真 ,  宮永 良子 ,  高橋 邦方 ,  楠本 修 ,  山下 賢哉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (8件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  手島 勝 ,  藤田 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-177080
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022878
出願日： 2002年06月18日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】SiC基板を用い、オン抵抗のさらなる低減が図られた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、研磨等により厚さが200μm以下にされ、( 0 0 0-1)C面を上面とするSiC基板11aと、SiC基板11aの上面上に順に設けられた半導体からなるエピタキシャル成長層12,ショットキー電極14及び上部電極16と、Si面であるSiC基板11aの裏面上に順に設けられたオーミック電極15及び下部電極17とを備えている。SiC基板11aが従来の基板よりも薄いため、動作時のオン抵抗が大きく低減されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

裏面全体が削られたSiC基板と、 上記SiC基板の上面上に設けられた半導体層とを備え、 動作時には、キャリアが上記SiC基板および上記半導体層を通過して縦方向に走行する半導体装置。

IPC (6件)：

H01L29/47 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

FI (7件)：

H01L29/48 D ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658B ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 F

Fターム (11件)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC03 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 個別半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-219400   出願人：株式会社東芝
• SiCショットキーダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-226065   出願人：富士電機株式会社
• 炭化けい素半導体基板とその製造方法およびその基板を用いた炭化けい素半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-336511   出願人：富士電機株式会社
• ウエハの切断分離方法およびウエハの切断分離装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-369945   出願人：株式会社デンソー