相変化メモリ装置および相変化メモリ装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-341291
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149900
出願日： 2005年11月26日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】相変化メモリ装置における良好な電気特性と良好な熱特性を両立させ、電極や配線の材料選択の自由度も高めて、大規模な相変化メモリ装置の量産を可能とすること。【解決手段】ヒータ電極110と相変化層114の接触界面112の近傍で発生するジュール熱が、ヒータ電極110を介して下方に伝達され、下地の良導電性の金属コンタクトプラグから放熱されることを抑制するために、異種材料コンタクトプラグ104(106,108)を採用する。ヒータ電極110に接触する第1の導電材料プラグ106は、ヒータ電極110の構成材料と同種または同じ金属材料からなり、第2の導電材料プラグ108は、接地電位用プラグ100や接地配線102と同種あるいは同じ金属材料からなる。両プラグ106,108は、共通のコンタクトホール内に積層形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

相変化層と、この相変化層に一端が接触するヒータ電極と、このヒータ電極の他端に接触する第1の導電材料からなる第1の導電材料プラグと、前記第1の導電材料よりも比抵抗が小さい第2の導電材料からなる第2の導電材料プラグとが、両プラグが一つのコンタクトホール内に積み重ねられ、かつ、前記ヒータ電極と前記第2の導電材料プラグとが重なりを有する態様にて接触して構成される異種材料コンタクトプラグと、前記第2の導電材料プラグに電気的に接続される導電体層と、を有することを特徴とする相変化メモリ装置。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 21/768 , H01L 45/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 , H01L21/90 A , H01L45/00 A

Fターム (59件)：

5F033HH04 , 5F033HH18 , 5F033HH28 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ22 , 5F033JJ26 , 5F033JJ27 , 5F033JJ28 , 5F033JJ29 , 5F033JJ30 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033JJ35 , 5F033KK01 , 5F033LL01 , 5F033MM07 , 5F033MM15 , 5F033NN03 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN40 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033TT08 , 5F033VV05 , 5F033VV06 , 5F033VV16 , 5F033XX10 , 5F033XX22 , 5F033XX33 , 5F083FZ10 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA16 , 5F083LA18 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083NA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

相変化媒体メモリデバイスのための、熱損失が小さく接触面積が小さい複合電極
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-097798 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

審査官引用 (5件)

半導体メモリ素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-152661 出願人：三星電子株式会社
論理装置上の第2層位相変化メモリアレイ
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-516747 出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-145305 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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