表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邊隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-074674
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273706
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】 Si基板上に(001)配向KNbO3をエピタキシャル成長させ、高周波化に対応できk2が高く温度特性に優れる表面弾性波素子、及びこれを備えた周波数フィルタ、発振器、電子回路、並びにこれらを適用した電子機器を提供する。【解決手段】本発明の表面弾性波素子は、シリコン基板1と、該シリコン基板1上に、金属を含む酸化物を少なくとも一層以上エピタキシャル成長させて形成されたバッファ層3と、該バッファ層3上に形成されたニオブ酸カリウムからなる圧電体層4と、該圧電体層4上に形成された酸化シリコン層5と、該酸化シリコン層5上に形成された電極層6とを備えた構成とされている。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、該シリコン基板上に、金属を含む酸化物を少なくとも一層以上エピタキシャル成長させて形成されたバッファ層と、該バッファ層上に形成されたニオブ酸カリウムからなる圧電体層と、該圧電体層上に形成された酸化シリコン層と、該酸化シリコン層上に形成された電極層と、を備えたことを特徴とする表面弾性波素子。

IPC (7件)：

H03H 9/25 , H01L 41/08 , H01L 41/09 , H01L 41/18 , H03B 5/30 , H03H 9/145 , H03H 9/72

FI (7件)：

H03H 9/25 C , H03B 5/30 A , H03H 9/145 D , H03H 9/72 , H01L 41/08 D , H01L 41/18 101 A , H01L 41/08 C

Fターム (21件)：

5J079AA06 , 5J079BA43 , 5J079BA44 , 5J079HA05 , 5J079HA06 , 5J079HA22 , 5J079HA25 , 5J097AA06 , 5J097AA29 , 5J097AA31 , 5J097AA33 , 5J097BB01 , 5J097BB15 , 5J097FF02 , 5J097FF04 , 5J097FF05 , 5J097FF08 , 5J097HA03 , 5J097KK08 , 5J097KK09 , 5J097KK10

引用特許：

審査官引用 (6件)

表面弾性波素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-002565 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開昭59-079622
弾性表面波素子および弾性表面波素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-328362 出願人：株式会社東芝

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