特許
J-GLOBAL ID：200903042621411616
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-327046
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093838
出願日： 2003年09月19日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 半導体集積回路装置の組み立てにおける生産性の向上を図る。【解決手段】 多数個取り基板3gを準備した後、第1の加熱ステージ9b上に半導体チップを配置し、その後、第1の加熱ステージ9b上において前記半導体チップの上方に多数個取り基板3gを配置し、続いて、前記半導体チップを第1の加熱ステージ9bによって直接加熱しながら前記半導体チップと多数個取り基板3gとを熱圧着によって仮接合し、前記仮接合の後、第1の加熱ステージ9bに隣接して設けられた第2の加熱ステージ10b上に、前記仮接合した多数個取り基板3gを配置し、その後、第2の加熱ステージ10b上において前記半導体チップを第2の加熱ステージ10bによって直接加熱しながら、前記半導体チップを加圧して前記半導体チップと多数個取り基板3gとを熱圧着によって本接合する。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)基板を準備する工程;
(b)複数の半導体チップを各々の主面を上方に向けてステージ上に配置する工程;
(c)前記複数の半導体チップの上方に前記基板を配置する工程;
(d)前記複数の半導体チップを一括して前記基板と熱圧着によって接合する工程。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/60 311T
, H01L21/50 C
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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