特許
J-GLOBAL ID：200903042650540212

プラズマ処理方法及び装置

発明者：
奥村 智洋

奥村 智洋 について

, 
松田 出

松田 出 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068302
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257199
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 均一な処理速度分布が得られるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 アンテナ用高周波電源4により100MHzの高周波電力を真空容器1内に設けられたアンテナ5に供給することにより、真空容器1内にプラズマが発生し、基板電極6上に載置された基板7に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。アンテナ5へ供給される高周波電圧は、分配器9によって分配され、給電ピン10により、アンテナ5の中心とも周辺とも異なる複数の部位へ同位相で給電される。また、アンテナ5の中心付近と真空容器1の基板7に対向する面1’とが、ショートピン11により短絡されている。
請求項（抜粋）：
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して設けられたアンテナに、周波数50MHz乃至3GHzの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ処理方法であって、アンテナの中心付近と真空容器とをショートピンによって短絡し、ショートピンを貫通するフィードスルーから真空容器内にガスを供給し、アンテナの中心とも周辺とも異なる一部位に高周波電圧を給電した状態で基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (6件)：
B01J 19/08 E ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 C
Fターム (35件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4K030EA06 ,  4K030FA04 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BC08 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DB02 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EH02 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20
引用特許：
審査官引用 (6件)
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