半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-159544
公開番号（公開出願番号）：特開2001-338988
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】MODFETと他の素子との段差が小さく、微細加工に適した高速動作可能な半導体装置を得る。【解決手段】MODFETの真性部分8,9を、半導体基板1に側面が絶縁膜7で底面が単結晶シリコン1の溝を形成し、この溝内に選択成長させることにより形成する。【効果】同一基板に混載する他の素子との段差をなくすことができ、各素子の微細化,高集積化が可能となる。同時に、灰船長を短くでき、低消費電力化が可能となる。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板に形成されたMOSFET及びMODFETとを有し、上記MODFETの真性部分が上記半導体基板に形成された溝内に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 21/8249 , H01L 29/165 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (5件)：

H01L 29/165 , H01L 27/08 102 A , H01L 27/06 101 U , H01L 27/06 321 A , H01L 29/72

Fターム (41件)：

5F003BA21 , 5F003BA27 , 5F003BC08 , 5F003BE07 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BJ15 , 5F003BM01 , 5F003BN01 , 5F048AA08 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC05 , 5F048BA01 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB20 , 5F048BC06 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BG13 , 5F048CA03 , 5F048CA06 , 5F048CA09 , 5F048CA14 , 5F082AA06 , 5F082AA18 , 5F082AA40 , 5F082BA05 , 5F082BA21 , 5F082BA22 , 5F082BC03 , 5F082BC09 , 5F082CA01 , 5F082EA23 , 5F082EA24 , 5F082FA05 , 5F082GA02 , 5F082GA03

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-262103 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-251714 出願人：株式会社東芝
ひずみSi/SiGeヘテロ構造層を使用するCMOSトランジスタ論理回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-097158 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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