特許
J-GLOBAL ID：200903042686179516
プラズマ処理方法及び装置並びにプラズマCVD方法及び装置
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
浜野 孝雄
, 森田 哲二
, 平井 輝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-148574
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324603
出願日： 2005年05月20日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】 一様で安定したプラズマを形成でき、大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマCVD方法及び装置を提供する。【解決手段】 本発明によるプラズマ処理装置又はプラズマCVD装置では、電極が、金属製電極本体と、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置している。 また、本発明によるプラズマ処理方法又はプラズマCVD法は、高周波電力を供給する電極として、放電に対向する金属製電極本体の表面に複数個の誘電体を埋め込みそれぞれの誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置する構造の金属電極を使用し、大面積基板に均一に成膜できるように構成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空槽内に、基板ホルダーと電極とを対向させて配置し、前記真空槽内にガスを導入すると共に前記電極に高周波電力を供給することによりプラズマを発生し、前記基板ホルダーに載置した基板に対してプラズマ処理を行う容量結合型グロー放電を用いるプラズマ処理装置において、
前記電極が、金属製電極本体と、前記基板ホルダーに対向する前記金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、前記基板ホルダーに対向する前記電極の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が前記電極の表面と同じ平面内に位置していること
を特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/505
, H01L 21/306
H01L21/205
, C23C16/505
, H01L21/302 101B
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030CA06
, 4K030CA17
, 4K030FA03
, 4K030JA03
, 4K030JA06
, 4K030JA18
, 4K030KA15
, 4K030KA17
, 4K030KA46
, 4K030LA15
, 4K030LA18
, 5F004AA01
, 5F004BA06
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004BD03
, 5F004BD04
, 5F004CA08
, 5F045AA08
, 5F045AB02
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045AB34
, 5F045AC01
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045BB01
, 5F045EF05
, 5F045EH04
, 5F045EH08
, 5F045GB17
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)
前のページに戻る
