特許
J-GLOBAL ID：200903042687521455

荷電粒子線転写装置

発明者：
中筋 護

中筋 護 について

, 
沖野 輝昭

沖野 輝昭 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (1件)： 大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071125
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320960
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 マスク上の転写用のパターンを荷電粒子線で走査することによって、そのパターンを転写対象の基板上に転写する際に、簡単な構成で収差を抑制して高精度にパターンを転写する。【解決手段】 電磁偏向器5,6を介してマスクM上で電子線EBをX方向に走査し、マスクMを通過した電子線EBによって投影レンズ15及び対物レンズ19よりなる対称磁気ダブレット方式の光学系を介してウエハW上にマスクパターンの縮小像を転写する。その際にマスクステージ9及び試料台23を駆動してマスクM及びウエハWをY方向に同期して機械的に走査し、マスクM上での電子線EBの照射領域のY方向の幅に対してX方向の幅を狭く設定することによって、その電子線の照射領域内での収差がほぼ一定であるとみなせるようにする。
請求項（抜粋）：
転写用のパターンが形成されたマスクを荷電粒子線で所定の走査方向に走査して、前記パターンを転写対象の基板上に転写する荷電粒子線転写装置において、前記走査方向の幅が前記走査方向に垂直な非走査方向の幅に比べて狭い断面形状を有する荷電粒子線で前記マスク上を前記走査方向に走査する走査手段と、前記マスクを透過した前記荷電粒子線を集束して前記基板上に前記パターンの一部の像を形成する軸対称の投影手段と、を有することを特徴とする荷電粒子線転写装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521
FI (2件)：
H01L 21/30 541 S ,  G03F 7/20 521
引用特許：
審査官引用 (4件)
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