特許
J-GLOBAL ID：200903042765158834

高周波回路装置およびその製造方法

発明者：
山脇 正雄

山脇 正雄 について

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池田 龍彦

池田 龍彦 について

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末松 憲治

末松 憲治 について

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加柴 良裕

加柴 良裕 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-226449
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074102
出願日： 1995年09月04日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【課題】 高周波信号の伝送損失を低減しかつ低価格化が可能な高周波回路装置を提供する。【解決手段】 100Ωcm以上の比抵抗を有する高比抵抗シリコン基板1の主表面上にエピタキシャル層2を形成する。このエピタキシャル層2内には、能動素子などの回路素子が形成される。エピタキシャル層2の表面を覆うように酸化膜3が形成される。酸化膜3の表面上に金属配線層4が形成される。この金属配線層4を覆うように酸化膜5が形成される。
請求項（抜粋）：
主表面を有し100Ωcm以上の比抵抗を有するシリコン基板と、前記シリコン基板の主表面を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された金属配線層と、を備えた、高周波回路装置。
IPC (7件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/082 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (4件)：
H01L 29/72 ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 27/08 101 B ,  H01L 27/08 321 B
引用特許：
審査官引用 (13件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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