特許
J-GLOBAL ID：200903042824315833
1/4波長リソグラフィの焦点深さを上げるためにモデルに基づき散乱バーを配置する方法、プログラム製品および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 森 徹
, 吉田 裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-272697
公開番号（公開出願番号）：特開2006-065338
出願日： 2005年08月23日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】光学近接効果補正形態を有するマスクを生成する方法を提供する。【解決手段】方法は、基板上に描像すべき形態を有する所望の目標パターンを獲得し、前記マスクを描像する場合に使用すべき第一焦点設定を決定し、前記目標パターンおよび前記第一焦点設定に基づく第一干渉マップを決定し、前記第一干渉マップに基づいて、描像すべき形態に対する前記マスク内の補助形態の最適な配置を表す第一シーディングサイトを決定し、前記第一焦点設定に対して所定量の焦点はずれを表す第二焦点設定を選択し、前記目標パターンおよび前記第二焦点設定に基づいて第二干渉マップを決定するステップと、前記第二干渉マップに基づいて、描像すべき前記形態に対する前記マスク内の補助形態の最適な配置を表す第二シーディングサイトを決定し、前記第一シーディングサイトと前記第二シーディングサイトの両方を含む形状を有する補助形態を生成することとを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
自身内に配置された光学近接効果補正形態を有するマスクを生成する方法であって、
(a)基板上に描像すべき形態を有する所望の目標パターンを獲得するステップと、
(b)前記マスクを描像する場合に使用すべき第一焦点設定を決定するステップと、
(c)前記目標パターンおよび前記第一焦点設定に基づく第一干渉マップを決定するステップと、
(d)前記第一干渉マップに基づいて、描像すべき形態に対する前記マスク内の補助形態の最適な配置を表す第一シーディングサイトを決定するステップと、
(e)前記第一焦点設定に対して所定量の焦点はずれを表す第二焦点設定を選択するステップと、
(f)前記目標パターンおよび前記第二焦点設定に基づいて第二干渉マップを決定するステップと、
(g)前記第二干渉マップに基づいて、描像すべき前記形態に対する前記マスク内の補助形態の最適な配置を表す第二シーディングサイトを決定するステップと、
(h)前記第一シーディングサイトと前記第二シーディングサイトの両方を含む形状を有する補助形態を生成するステップとを含む方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 516Z
, H01L21/30 502P
2H095BA01
, 2H095BB01
, 2H095BB36
, 5F046AA25
, 5F046BA03
, 5F046DA14
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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