特許
J-GLOBAL ID：200903042827003492
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-164551
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354789
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 素子のブレイクダウン耐圧を向上し、かつオン抵抗を低減することの出来る電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】 P型SiC基板10内の高濃度N型ドレイン領域50と高濃度N型ソース領域60との間のP型SiCエピタキシャル層20の一部に凹型溝30が形成され、この凹型溝30に沿って低濃度のN型ドレイン領域40が形成され、前記P型SiC基板10の裏面に基板電極150が形成されている。
請求項（抜粋）：
Si(珪素)よりバンドギャップの広いワイドバンドギャップ半導体基板中に形成されたドレイン領域ならびにソース領域と、ゲート電圧によってチャンネルが形成されるベース領域と、を具備した電界効果トランジスタにおいて、前記ドレイン領域及びソース領域がワイドバンドギャップ半導体基板の同一表面側に形成されており、前記ベース領域の前記ドレイン領域側の一部に凹型の溝が形成され、該溝に沿って前記ドレイン領域より濃度の低い低濃度ドレイン領域が前記ドレイン領域と接続するように形成されたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
FI (3件)：
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 W
, H01L 29/78 301 B
