特許
J-GLOBAL ID：200903042857679113

シリコンウエハの研磨方法

発明者：
村原 正隆

村原 正隆 について


出願人/特許権者：
学校法人東海大学

学校法人東海大学 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119578
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318139
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】シリコンウエハ上に研磨痕を残すことなく、効率的に高精度研磨を達成し得るシリコンウエハの研磨方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハ(13)の被研磨面と紫外光透過性研磨部材(12)との間に酸化剤とフッ化水素を含む水系薄液層(14)を介在させた状態で、研磨部材(12)側から薄液層(14)に紫外光を入射しながら、シリコンウエハ(13)の被研磨面と研磨部材(12)を相対的に摺動させて、シリコンウエハ(13)の被研磨面を研磨する。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハの被研磨面と紫外光透過性研磨部材との間に酸化剤とフッ化水素を含む水系薄液層を介在させた状態で、該研磨部材側から該薄液層に紫外光を入射しながら、シリコンウエハの被研磨面と研磨部材を相対的に摺動させて、シリコンウエハの被研磨面を研磨することを特徴とするシリコンウエハの研磨方法。
IPC (7件)：
H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 1/00 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/306
FI (7件)：
H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 D ,  B24B 1/00 A ,  B24B 37/00 Z ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/306 M
Fターム (11件)：
3C049AA07 ,  3C049CB01 ,  3C049CB03 ,  3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD08 ,  5F043DD16
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開昭61-270060
  • エッチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-241827   出願人：学校法人東海大学
  • 特開平1-193166
引用文献：
審査官引用 (1件)

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