調整可能なゲインスペクトルを有する半導体レ-ザ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：園田吉隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286681
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156546
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】製造容易かつ安価であり、応答時間が短く、波長調整可能なレーザを提案する。【解決手段】半導体ヘテロ構造からなる可調整レーザであって、ヘテロ構造が、活性量子井戸と呼ばれ電荷キャリアの導入時にレーザ放射を行う少なくとも1つの量子井戸AQWと、その両側に配されて導入された電荷キャリアの一部を収集して閉じ込める収集量子井戸と呼ばれる少なくとも1つの他の量子井戸CQW1,CQW2とを有する活性領域と、電気光学的効果によって活性量子井戸のゲインスペクトルを変更することにより、レーザ放射を行う間に活性量子井戸に作用する空間電荷電界を生成するように収集量子井戸内の電荷キャリアを分散させる手段とからレーザを構成する。

請求項（抜粋）：

半導体ヘテロ構造からなる可調整レーザであって、前記ヘテロ構造が、電荷キャリアの導入時にレーザ放射を行う、活性量子井戸と呼ばれる少なくとも1つの量子井戸(AQW)と、該活性量子井戸の両側に配されて導入された電荷キャリアの一部を収集して閉じ込める、収集量子井戸と呼ばれる少なくとも1つの他の量子井戸(CQW1,CQW2;CQW11〜CQW12,CQW21〜CQW22)とを有する活性領域と、電気光学的効果によって前記活性量子井戸のゲインスペクトルを変更することにより、レーザ放射を行う間に前記活性量子井戸に作用する空間電荷電界を生成するように前記収集量子井戸内の電荷キャリアを分散させる手段とを具備することを特徴とするレーザ。

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭63-313886
特開昭63-313886
切り換え可能な多波長半導体レーザー
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-271961 出願人：ゼロックスコーポレイション

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