特許
J-GLOBAL ID：200903042893040048

トレンチソースコンタクトを備えた横拡散MOSトランジスター

発明者：
ヒーバート フランソワ

ヒーバート フランソワ について


出願人/特許権者：
スペクトリアン

スペクトリアン について


代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-503072
公開番号（公開出願番号）：特表2002-504267
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 2002年02月05日
要約：
【要約】エピタキシャル層に形成された横拡散トランジスタがトレンチソースコンタクト(30)を有する。該トランジスタを製造する方法も記載されており、この方法は、トレンチのエッチング工程を有する。
請求項（抜粋）：
(a)ドープされた半導体基板、(b)前記基板上に形成されたドープされ たエピタキシャル半導体層、該層は表面を有しており、(c)両者の間にチャ ネル領域を備えて、前記エピタキシャル層中に形成されたソース領域及びドレ イン領域(d)前記チャンネル領域上方の絶縁層上に形成されたゲート電極、 そして(e)前記エピタキシャル層の表面から前記エピタキシャル層の中に伸 びているソースコンタクト、前記ソースコンタクトは前記エピタキシャル層中 に導電性材料で充填されたトレンチを有していることを特徴とするトランジス ター構造。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/78 301 X
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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