特許
J-GLOBAL ID：200903042952735390

半導体発光素子の製法および半導体レーザ

発明者：
田辺 哲弘

田辺 哲弘 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-190320
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009399
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 ELO成長によりマスク上に半導体層を選択成長する場合に、ウェハの反りをデバイス特性やウェハのハンドリングに支障がない程度に小さくし得る半導体発光素子の製法およびLDにする場合にストライプ状発光部の転位密度を小さくしながら、ウェハの反りを抑制する半導体レーザを提供する。【解決手段】 ウェハ状基板上にELO成長によりチッ化物系化合物半導体層を選択成長し、その上に発光層形成部を構成するように半導体層を積層する場合に、横方向への選択成長をするためのマスクを、ウェハ状基板の全面でシードを露出する開口部が単一方向に連続するもののみにならないように形成する。また、LDにする場合には、ストライプ状に転位密度の存在しない部分を作りながら、単一方向のみに連続する開口部としないようにマスクを形成する。
請求項（抜粋）：
ウェハ状基板表面に直接、または該基板上に設けられる層上に、その上にはチッ化物系化合物半導体層が直接には成長しないマスク層を形成し、該マスク層にチッ化物系化合物半導体層を成長するシードを露出するための開口部を、前記ウェハ状基板の全面で単一方向に連続するもののみにならないように形成し、該開口部から前記マスク層上に横方向に選択成長することによりチッ化物系化合物半導体層を前記ウェハ状基板上の全面に設け、該チッ化物系化合物半導体層上に発光層を形成するようにチッ化物系化合物半導体からなる半導体積層部を形成し、前記ウェハ状基板をチップ化することを特徴とする半導体発光素子の製法。
IPC (3件)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (34件)：
5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB05 ,  5F041FF13 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DB02 ,  5F073AA43 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24
引用特許：
審査官引用 (6件)
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