特許
J-GLOBAL ID：200903043033009581
荷電粒子ビーム露光方法及びそれを実施する荷電粒子ビーム露光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-034520
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233061
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】設計データから露光パターンデータを生成するデータ処理工程をより効率的に行う。【解決手段】本発明は、メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータを有するパターンデータからサブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、露光データに従って試料を露光する荷電粒子ビーム露光方法において、(a)サブフィールド内に、サブフィールド内のパターンに応じた異なる形状の複数のエリアを発生し、エリア内のパターン密度を求める工程と、エリアの周囲のエリアのパターン密度及びエリア間の距離に従って当該パターン密度を見直す工程と、(c)エリアの見直されたパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、当該エリア内に補助露光パターンを発生する工程と、(d)パターンデータに補助露光パターンデータを追加した露光データに従って、前記試料を露光する工程とを有すること特徴とする。その結果、可変エリアを発生して、エリア数を減少させ、データ処理工程をより効率的に行うことができる。
請求項（抜粋）：
メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータを有するパターンデータから前記サブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、該露光データに従って試料を露光する荷電粒子ビーム露光方法において、(a)前記サブフィールド内に、該サブフィールド内のパターンに応じた異なる形状の複数のエリアを発生し、該エリア内のパターン密度を求める工程と(b)該エリアの周囲のエリアのパターン密度及びエリア間の距離に従って当該パターン密度を見直す工程と、(c)前記エリアの前記見直されたパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、当該エリア内に補助露光パターンを発生する工程と、(d)前記パターンデータに前記補助露光パターンデータを追加した露光データに従って、前記試料を露光する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
IPC (5件)：
H01J 37/305
, G03F 7/20 506
, G03F 7/20 521
, G21K 5/04
, H01L 21/027
H01J 37/305 B
, G03F 7/20 506
, G03F 7/20 521
, G21K 5/04 M
, H01L 21/30 541 M
, H01L 21/30 551
