半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-091956
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289507
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】エッチング工程後においても、下地膜の非対称性などによる影響を受けることなく、アライメントずれ量を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】マスクパターン10を半導体基板上にレジストパターン5として転写する第1の工程と、前記レジストパターン5をマスクとしてエッチングを行う第2の工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記第1の工程で基板上に既に形成されているパターン8とマスクパターン10との重ね合わせ位置を決定するためにアライメントマーク3及び7を用い、前記第2の工程でのアライメントずれ量を、過去に前記第2の工程の処理を行ったロットにおける結果に基づいて、あらかじめ前記第1の工程で補正する。

請求項（抜粋）：

マスクパターンを半導体基板上にレジストパターンとして転写する第1の工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行う第2の工程とを、所定のロット毎に行う半導体装置の製造方法において、前記第1の工程で、前記マスクパターンと前記基板上に形成されているパターンとの重ね合わせ位置を決定するために、前記基板上及び前記マスクパターンの一部にそれぞれ形成されたアライメントマークを用いることと、前記第2の工程でのアライメントずれ量を、過去に前記第2の工程の処理を行ったロットにおけるアライメントずれ量の結果に基づいて、あらかじめ前記第1の工程で補正しておくことを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 , H01L 21/3065

FI (6件)：

G03F 7/20 521 , G03F 9/00 H , H01L 21/30 520 C , H01L 21/30 521 , H01L 21/30 525 W , H01L 21/302 A

Fターム (7件)：

5F004AA16 , 5F004FA08 , 5F046EA04 , 5F046EB01 , 5F046EC05 , 5F046FC03 , 5F046FC04

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体材料の製造工程における露光条件の決定方法、及び半導体材料の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-058091 出願人：ソニー株式会社
アライメント方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-208999 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-319468 出願人：日本電気株式会社

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