特許
J-GLOBAL ID：200903043157598232
成長基板の除去により製造される共振キャビティIII族窒化物発光装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 今城 俊夫
, 西島 孝喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-160075
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347747
出願日： 2005年05月31日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 成長基板を除去することにより製造された共振キャビティIII族窒化物発光装置を提供すること。【解決手段】 半導体発光装置は、n型領域と、p型領域と、該n型領域およびp型領域の間に配置された発光領域とを含んでいる。n型領域、p型領域および発光領域は、頂面および底面を有するキャビティを形成する。該キャビティの頂面および底面は、粗い表面を有してよい。例えば、該表面は複数の谷によって分離された複数のピークを有している。幾つかの実施形態においは、当該装置にエッチング停止層を組込み、次いで該エッチング停止層上で停止するプロセスによって、当該装置の層を薄膜化することにより、前記キャビティの厚さは一定に維持される。【選択図】 図18
請求項（抜粋）：
III族窒化物発光装置であって:
n型領域と;
p型領域と;
前記n型領域およびp型領域の間に配置された発光領域と
を具備してなり、
前記n型領域、p型領域および発光領域がキャビティを形成し、該キャビティは頂面および底面を有し、該頂面および該底面の各々が、複数の谷によって分離された複数のピークを含んでなる装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC14
, 5F173AC15
, 5F173AC52
, 5F173AC61
, 5F173AC63
, 5F173AF72
, 5F173AG05
, 5F173AG12
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AP23
, 5F173AP32
, 5F173AP35
, 5F173AQ02
, 5F173AQ03
, 5F173AQ05
, 5F173AR23
, 5F173AR52
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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