特許
J-GLOBAL ID：200903043170499057
膜形成用組成物、多孔質膜の形成方法及び多孔質膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006573
公開番号（公開出願番号）：特開2002-212502
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：
【要約】【解決手段】 (A)下記一般式(1) R1-SiZ3 (1) で表される構造単位(T単位)を30〜100モル%含有し、かつこのT単位のうち、下記一般式(2) R1-Si(OH)Z’2 (2) で表されるシラノール基を1個含有する構造単位(T-2単位)を30〜80モル%含有し(但し、上記式中R1は置換又は非置換の一価炭化水素基を示し、ZはOH基、加水分解性基及びシロキサン残基から選ばれ、少なくとも1つはシロキサン残基を示し、Z’はシロキサン残基を示す。)、数平均分子量が100以上であるシラノール基含有シリコーン樹脂と、(B)ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物とを含有することを特徴とする膜形成用組成物。【効果】 本発明の組成物を用いることによって、多孔質で低誘電率でありながら、平坦で均一であると共に、誘電率が小さく、しかも機械的な強度も大きい、半導体デバイス製造に用いるとき層間絶縁膜として最適な膜を形成することが可能になる。
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1) R1-SiZ3 (1) で表される構造単位(T単位)を30〜100モル%含有し、かつこのT単位のうち、下記一般式(2) R1-Si(OH)Z’2 (2) で表されるシラノール基を1個含有する構造単位(T-2単位)を30〜80モル%含有し(但し、上記式中R1は置換又は非置換の一価炭化水素基を示し、ZはOH基、加水分解性基及びシロキサン残基から選ばれ、少なくとも1つはシロキサン残基を示し、Z’はシロキサン残基を示す。)、数平均分子量が100以上であるシラノール基含有シリコーン樹脂と、(B)ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物とを含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (5件)：
C09D183/04
, C09D171/02
, H01L 21/312
, H01L 21/316
, H01L 21/768
C09D183/04
, C09D171/02
, H01L 21/312 C
, H01L 21/316 G
, H01L 21/90 Q
4J038DF012
, 4J038DL051
, 4J038DL071
, 4J038DL132
, 4J038GA03
, 4J038GA15
, 4J038NA11
, 4J038NA12
, 4J038NA17
, 4J038NA24
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 4J038PC02
, 5F033RR21
, 5F033RR23
, 5F033RR29
, 5F033SS22
, 5F033XX23
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
