特許
J-GLOBAL ID：200903043246222289

回路装置およびその製造方法

発明者：
臼井 良輔

臼井 良輔 について

, 
中村 岳史

中村 岳史 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-146244
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300699
出願日： 2007年05月31日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】回路装置のさらなる低背化を実現する。【解決手段】回路装置10は、配線基板20、第1の回路素子30および第2の回路素子40を備える。配線基板20は、絶縁樹脂層22、絶縁樹脂層22のL1面に設けられた配線層50、絶縁樹脂層22のL2面に設けられた配線層60を有する。配線層50は、第1の回路素子30が接続される第1の接続部52および配線部54を含む。第1の接続部52の膜厚は、配線部54の膜厚に比べて薄膜化されている。配線層60は、第2の接続部62および配線部64を含む。第1の接続部52と第2の接続部62とは、導通部70により接続されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の一方の面に設けられた第1の接続部と配線部を含む第1の配線層と、 前記基板の他方の面に設けられた第2の接続部を含む第2の配線層と、 前記基板を貫通し、前記第1の接続部と前記第2の接続部とを電気的に接続する導通部と、 前記第1の接続部に搭載された回路素子と、 を備え、 前記第1の接続部の膜厚が前記配線部の膜厚より薄いことを特徴とする回路装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件)：
H01L25/08 Z
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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