特許
J-GLOBAL ID：200903043287822606
裏面照射型半導体装置及び充填材充填方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-018976
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222936
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 低温時でのCCD素子の光検出面の損傷を防止する。【解決手段】 裏面照射型半導体装置は、裏面に照射されるエネルギー線に感度を有する、周縁部の内側を裏面から薄化して構成された板状の半導体検出素子10と、半導体検出素子10の周縁部の外側に所定の隙間を空けた状態で当該周縁部を支持する環状の保護枠20と、半導体検出素子10の表面に形成された電極部と保護枠20に形成された配線部とを電気的に接続させる接続部材50と、半導体検出素子10の表面側及び周縁部の外側の隙間に充填され半導体検出素子10の表面及び接続部材50を被覆するエポキシ樹脂30と、エポキシ樹脂30の上から充填された、硬化後の弾力性がエポキシ樹脂30よりも高いシリコーン樹脂32と、シリコーン樹脂32の上面に密着して設置された保護用の蓋40とを備える。
請求項（抜粋）：
裏面に照射されるエネルギー線に感度を有する、周縁部の内側を前記裏面から薄化して構成された板状の半導体検出素子と、前記半導体検出素子の周縁部の外側に所定の隙間を空けた状態で当該周縁部を支持する環状の保護枠と、前記半導体検出素子の表面に形成された電極部と前記保護枠に形成された配線部とを電気的に接続させる接続部材と、前記半導体検出素子の表面側に充填され前記半導体検出素子の表面及び前記接続部材を被覆する第1の充填材と、前記第1の充填材の上面に密着して設置された保護用の蓋と、を備えた裏面照射型半導体装置であって、前記周縁部の外側の隙間については、前記第1の充填材に代わり、硬化後の弾力性が前記第1の充填材よりも高い第2の充填材が充填されたことを特徴とする裏面照射型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/14
, H04N 5/335
, H01L 31/02
H04N 5/335 V
, H01L 27/14 D
, H01L 31/02 B
4M118AA08
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118GA02
, 4M118HA19
, 4M118HA24
, 5C024CY47
, 5C024EX22
, 5C024EX24
, 5C024GX24
, 5C024GY01
, 5F088BA16
, 5F088BA20
, 5F088BB03
, 5F088JA03
, 5F088JA05
