特許
J-GLOBAL ID：200903043326061820

シリコン単結晶の製造方法及びN型高ドープ半導体基板

発明者：
川添 真一

川添 真一 について

, 
鳴嶋 康人

鳴嶋 康人 について

, 
久保田 利通

久保田 利通 について

, 
小川 福生

小川 福生 について


出願人/特許権者：
SUMCO TECHXIV株式会社

SUMCO TECHXIV株式会社 について


代理人 (4件)： 特許業務法人樹之下知的財産事務所 ,  木下 實三 ,  中山 寛二 ,  石崎 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-146082
公開番号（公開出願番号）：特開2008-297166
出願日： 2007年05月31日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するに際して、結晶中に異常成長を生じさせずに、N型高ドープの単結晶を製造することのできるシリコン単結晶の製造方法の提供。【解決手段】シリコン融液にリン(P)及びゲルマニウム(Ge)、又はシリコン-ゲルマニウム融液にリンを添加した後、 得られたシリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する際に、 リン濃度[P](atoms/cm3)が、4.84×1019atoms/cm3以上、8.49×1019atoms/cm3以下、 リン濃度[P](atoms/cm3)及びGe濃度[Ge](atoms/cm3)が、下記式(1)の関係を満たすように結晶を育成することを特徴とする。 【数1】【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
シリコン融液にリン(P)及びゲルマニウム(Ge)、又はシリコン-ゲルマニウム融液にリンを添加した後、 得られたシリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する際に、 リン濃度[P](atoms/cm3)が、4.84×1019atoms/cm3以上、8.49×1019atoms/cm3以下、 リン濃度[P](atoms/cm3)及びGe濃度[Ge](atoms/cm3)が、下記式(1)の関係を満たすように結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ,  C30B 15/04
FI (3件)：
C30B29/06 502H ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 A
Fターム (11件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077HA12 ,  4G077PB05 ,  4G077PB07 ,  4G077PB08 ,  4G077PB14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM