シリコンからなるドーピングされた半導体ウェーハを製造する方法およびこの種の半導体ウェーハ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-231271
公開番号（公開出願番号）：特開2006-052133
出願日： 2005年08月09日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：

【課題】決められた熱伝導率を有する、シリコンからなる半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】ホウ素、リン、砒素またはアンチモンのような電気的活性のドーピング物質を含有し、場合により付加的にゲルマニウムがドーピングされ、所定の熱伝導率を有する、シリコンからなるドーピングされた半導体ウェーハを製造する方法であり、シリコンから単結晶を製造し、半導体ウェーハに更に処理し、その際電気的に活性なドーピング物質の濃度の選択によりおよび場合によりゲルマニウムの濃度の選択により熱伝導率を調節する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ホウ素、リン、砒素またはアンチモンのような電気的活性のドーピング物質を含有し、場合により付加的にゲルマニウムがドーピングされ、所定の熱伝導率を有する、シリコンからなるドーピングされた半導体ウェーハを製造する方法において、シリコンから単結晶を製造し、半導体ウェーハに更に処理し、その際電気的に活性なドーピング物質の濃度の選択によりおよび場合によりゲルマニウムの濃度の選択により熱伝導率を調節することを特徴とするシリコンからなるドーピングされた半導体ウェーハを製造する方法。

IPC (1件)：

C30B 29/06

FI (1件)：

C30B29/06 A

Fターム (10件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB03 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EB01 , 4G077EB05 , 4G077FD02 , 4G077HA12 , 4G077PB05

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭54-040076
高耐熱衝撃性シリコンウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-344136 出願人：株式会社シリコンテクノロジー
高ドープN+基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-178477 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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