半導体装置およびその制御方法、並びに電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中裕人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-333463
公開番号（公開出願番号）：特開2009-157981
出願日： 2007年12月26日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：

【課題】半導体装置等における耐タンパ性を向上すべく、第三者による不当な書き込みを防止することができる半導体装置およびその制御方法、並びに電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置は、第1記憶部と、第2記憶部と、判定部とを有し、判定部には第1信号と第2信号とが入力される。第1信号は、第1記憶部もしくは第2記憶部に書き込みを許可する。第2信号は、第1記憶部に所定の情報が書き込み済であるか否かを示す。所定の情報が書き込み済であることを第2信号が示す場合に、第2記憶部への書き込みを禁止する信号を判定部は出力する。これにより、第三者による不当な書き込みを防止することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1記憶部と、第2記憶部と、前記第1記憶部もしくは前記第2記憶部に書き込みを許可する第1信号と、前記第1記憶部に所定の情報が書き込み済であるか否かを示す第2信号とが入力される判定部とを有し、前記判定部は、前記第2信号が前記所定の情報が書き込み済であることを示す場合に、前記第2記憶部への書き込みを禁止する信号を出力することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G11C 17/00 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (2件)：

G11C17/00 E , H01L27/04 F

Fターム (10件)：

5B125BA14 , 5B125CA22 , 5B125CA23 , 5B125DE12 , 5B125FA06 , 5F038AV15 , 5F038AV16 , 5F038DF05 , 5F038DF10 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

書換可能不揮発性メモリへの書込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-033081 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング

審査官引用 (9件)

特開昭60-025099
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-264908 出願人：株式会社東芝
特開平3-046198

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