特許
J-GLOBAL ID:200903043430109789
積層体切断方法及び積層体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
青木 篤
, 鶴田 準一
, 伊坪 公一
, 西山 雅也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-344330
公開番号(公開出願番号):特開2006-150499
出願日: 2004年11月29日
公開日(公表日): 2006年06月15日
要約:
【課題】 単一の波長のレーザ光により、異種材料からなる積層体を切断する。【解決手段】 レーザを透過するガラス12及び14は、レーザを吸収するシリコン基板14と積層体を形成する。ガラス12及び14のシリコン基板14に接する面には、デバイスチップを切断する切断線に合致した溝13及び17が形成されている。レーザビーム23を、N2ガス27を吹き付けながら、積層体10に照射する。ビーム23は、シリコン基板で吸収され、溶融したシリコンが溝13内で飛散し、溝内に付着したシリコンがレーザで加熱されることにより、ガラス12が切断される。溶融したシリコンはまた、シリコン基板14に生じた貫通孔を通ってガラス14の溝17に充填される。溝17に充填されたシリコンがレーザで加熱されることにより、ガラス14が切断される。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
レーザを透過する少なくとも1枚のレーザ透過部材とレーザを吸収する少なくとも1枚のレーザ吸収部材とを積層してなる積層体であって、前記レーザ透過部材の前記レーザ吸収部材に接する面に、前記積層体を切断するための切断線に沿って溝が形成された積層体を形成するステップと、
前記レーザ透過部材の溝を貫通するように前記レーザ透過部材の側から前記レーザ吸収部材にレーザを照射するステップと、
前記レーザ透過部材のレーザ照射点にガスを吹き付けるステップとを有することを特徴とする積層体切断方法。
IPC (5件):
B81C 1/00
, B23K 26/14
, B23K 26/38
, B23K 26/40
, B28D 5/00
FI (5件):
B81C1/00
, B23K26/14 Z
, B23K26/38 320
, B23K26/40
, B28D5/00 Z
Fターム (15件):
3C069AA01
, 3C069BA08
, 3C069BB04
, 3C069BC01
, 3C069CA02
, 3C069CA03
, 3C069CA11
, 3C069EA05
, 4E068AE01
, 4E068CA09
, 4E068CB06
, 4E068CH08
, 4E068CJ01
, 4E068CJ10
, 4E068DA10
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (9件)
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